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  2023年1月，2022年行家說全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇，暨2022行家極光獎(2022 Hangjia Aurora Award)頒獎晚宴在深圳順利舉辦。Nexperia(安世半導體)突出重圍，將「GaN產(chǎn)業(yè)推動先鋒」與「中國GaN 功率器件十強」兩項大獎收入囊中，展現(xiàn)了作為基礎半導體領域全球領導者的強大實力。Nexperia(安世半導體)MOSFET 業(yè)務集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳出席了晚宴并代表了安世半導體領獎。

  在全球“雙碳”戰(zhàn)略的推動下，整個能源系統(tǒng)都在向“清潔可再生”的新能源轉型，而新能源汽車、“光儲充”、數(shù)據(jù)中心等環(huán)節(jié)成為了實現(xiàn)“碳中和”的重要抓手。第三代半導體技術氮化鎵憑借高效率、高密度、小尺寸、低總成本等優(yōu)勢，成為了這場綠色能源革命的關鍵技術支撐，已經(jīng)被各個應用領域廣泛采用，整個產(chǎn)業(yè)開始駛入快車道。

  行家說作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)領先的媒體與產(chǎn)業(yè)研究機構代表，設立了“行家極光獎”，旨在重點表彰供應鏈的優(yōu)秀企業(yè)、做出重要應用表率的企業(yè)以及具有技術突破或拓寬應用邊界的優(yōu)秀產(chǎn)品，為行業(yè)樹立標桿。經(jīng)過數(shù)月的緊張評選，Nexperia(安世半導體)獲得了業(yè)界認可，在眾多參選企業(yè)中脫穎而出，榮獲大獎。

  GaN產(chǎn)業(yè)推動先鋒獎

  獲得本年度“氮化鎵產(chǎn)業(yè)推動先鋒”獎項的企業(yè)長期深耕氮化鎵技術，在行業(yè)里擁有廣泛的影響力，并且長期活躍于各個應用市場。經(jīng)過多年快速發(fā)展，他們在氮化鎵領域享譽盛名，而且市場占有率保持領先，在氮化鎵的技術水平、質量水平提升等方面具有示范效應，為推動全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展作出了重要貢獻。

  中國GaN 功率器件十強

  該獎項主要表彰本年度碳化硅/氮化鎵供應鏈中快速崛起的優(yōu)秀企業(yè)，他們實現(xiàn)了國產(chǎn)第三代半導體材料、器件、模塊和裝備等環(huán)節(jié)技術的突圍，并且在全球化道路上邁出堅實的步伐，提升中國第三代半導體的全球影響力。獲得十強榜單獎項的企業(yè)在品牌影響力、市場占有率、創(chuàng)新能力和未來的發(fā)展?jié)摿Φ染C合實力較為突出。

  △ Nexperia 推出氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  安世半導體一直投資和研發(fā)自有氮化鎵工藝技術。通過逐年的經(jīng)驗積累和技術深入，掌握未來如何以最優(yōu)方式運用這項技術。目前遍布全球的自有化生產(chǎn)基地可以提供真正車規(guī)級 AEC-Q101 認證的產(chǎn)品。新一代的安世半導體氮化鎵(HEMTs)，提供業(yè)界領先的低導通電阻，更高的開關穩(wěn)定性，可顯著提升動態(tài)性能。

  安世半導體不到三年就推出三代 650 V 高功率氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)，提供從 2 kW 到 250 kW的 GaN 應用方案并推向更高的功率水平。此外，安世持續(xù)改進主力產(chǎn)品—— MOSFET，對于客戶而言使用高效的功率半導體比以往任何時候都重要，安世半導體的產(chǎn)品將為節(jié)能降耗做出更多貢獻，推動早日實現(xiàn)“碳中和”的目標。