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中電港正式上市!股價(jià)暴漲239%,市值突破306億元??;存儲器大廠過寒冬,硅晶圓廠承壓??;
2023-04-11 1958次

元器件分銷:

1、中電港正式上市!股價(jià)暴漲239%,市值突破306億元!

 

芯片半導(dǎo)體:

1、14nm工藝!三星電子已量產(chǎn)第一代WarBoy NPU芯片

2、存儲器大廠過寒冬,硅晶圓廠承壓!

3、SIA:2月份全球芯片市場下跌20%;分析師:半導(dǎo)體低迷今年將見底

4、人工智能芯片效率比拼 高通以 2:1 擊敗英偉達(dá)

 

晶圓代工:

1、臺積電赴德國設(shè)廠有新動(dòng)作,業(yè)界研判設(shè)廠計(jì)劃已接近成熟階段

2、供應(yīng)鏈消息稱臺積電將如期在2025年上線 2nm 工藝

 

 

 

元器件分銷

1、中電港正式上市!股價(jià)暴漲239%,市值突破306億元!

4月10日消息,電子元器件分銷龍頭中電港已于2023年4月10日在深交所主板掛牌上市。


 

上午盤中股價(jià)最高達(dá)到40.30元/股,漲幅最高達(dá)239.23%,總市值超過306億元。

 

中電港成立于2014年,是一家以電子元器件分銷為核心業(yè)務(wù),并為客戶提供電子元器件信息查詢、選型替代、技術(shù)方案、產(chǎn)業(yè)資訊等服務(wù)的企業(yè)。

 

中電港是行業(yè)知名的電子元器件應(yīng)用創(chuàng)新與現(xiàn)代供應(yīng)鏈綜合服務(wù)平臺,其授權(quán)品牌包括高通、AMD、NXP、美光、ADI、瑞薩、英偉達(dá)等國際品牌。紫光展銳、長江存儲、華大半導(dǎo)體、瀾起、豪威科技、兆易創(chuàng)新、長鑫存儲、圣邦微等國內(nèi)品牌,覆蓋從CPU、GPU、MCU等處理器到存儲器、射頻器件、分立器件、傳感器器件等完備的產(chǎn)品類別。




芯片半導(dǎo)體

1、14nm工藝!三星電子已量產(chǎn)第一代WarBoy NPU芯片

4月7日,據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,三星半導(dǎo)體已成功量產(chǎn)第一代WarBoy NPU芯片,采用三星14nm制程工藝。初代WarBoy芯片已經(jīng)完成量產(chǎn),預(yù)計(jì)在不久的將來投入市場。


 

據(jù)悉,WarBoy是一款專為人工智能設(shè)計(jì)的神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)芯片,速度是普通GPU的十倍。主要負(fù)責(zé)某個(gè)部分的計(jì)算,例如影像、AI計(jì)算、圖像分析等。由于WarBoy只需要負(fù)責(zé)單個(gè)項(xiàng)目,在處理AI計(jì)算時(shí),它的速度可以輕松超越市面上主流的GPU,且造價(jià)、售價(jià)也比專業(yè)級GPU更加便宜。

 

目前來說,大部分運(yùn)用訓(xùn)練AI大型語言模型的硬件設(shè)備都來自英偉達(dá),例如英偉達(dá)A100加速顯卡,能夠提供高達(dá)19.5TFlops的單精度浮點(diǎn)性能。但投入到人工智能領(lǐng)域,只靠一張加速顯卡是辦不到。

 

當(dāng)然,像是英偉達(dá)A100、AMD的MI250這類計(jì)算加速顯卡,受限于產(chǎn)量問題也很難買到。現(xiàn)如今非常多企業(yè)投入到人工智能領(lǐng)域。某種程度上來說,WarBoy不僅可以減少AI領(lǐng)域研發(fā)的成本,也能減少不必要的資源浪費(fèi)。足以見得,高性能計(jì)算卡正在專業(yè)領(lǐng)域扮演著重要的角色。

 

2、存儲器大廠過寒冬,硅晶圓廠承壓!

據(jù)此前《科創(chuàng)板日報(bào)》消息,伴隨產(chǎn)業(yè)庫存堆積,美光、鎧俠、SK海力士等多家存儲芯片龍頭均宣布減產(chǎn)或放緩?fù)顿Y。如今存儲器最大咖三星也跟進(jìn)減產(chǎn)行列。業(yè)界分析,存儲器廠多以生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品為主,是硅晶圓廠最穩(wěn)定且量大的出貨來源。三星減產(chǎn)恐沖擊臺灣三大半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶、臺勝科、合晶營運(yùn)。


 

綜觀存儲器產(chǎn)業(yè),據(jù)市場研究公司Omdia的資料統(tǒng)計(jì);2022年第3季,三星的DRAM全球市占率逾四成,穩(wěn)坐龍頭。SK海力士市占率29.9%,美光落在24.8%。

 

至于NAND方面,據(jù)集邦科技統(tǒng)計(jì);三星同樣穩(wěn)居全球第一大廠,市占率33%,SK集團(tuán)19.9%排名第二,鎧俠市占15.6%居第三。

 

據(jù)統(tǒng)計(jì),全球DRAM月產(chǎn)能約161.4萬片晶圓,NAND則有176.2萬片,隨存儲器原廠紛紛減產(chǎn)對硅晶圓廠出貨量勢必同步銳減,壓力倍增。

 

3、SIA:2月份全球芯片市場下跌20%;分析師:半導(dǎo)體低迷今年將見底

據(jù)eeNews報(bào)道,根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)的最新數(shù)據(jù),由于市場繼續(xù)放緩,2月份半導(dǎo)體銷售額與去年同期相比下降了20%。

 

2023年2月的銷售額總計(jì)397億美元,比413億美元下降4%,比2022年2月的500億美元下降20.7%。受打擊最嚴(yán)重的是芯片的主要用戶中國,同比下降34.2%,美國比去年2月下降14.8%。所有地區(qū)的月度銷售額均下降:歐洲(-0.3%)、日本(-0.3%)、亞太地區(qū)/所有其他(-3.6%)、美洲(-5.3%) 和中國(-5.9 %)。

 

SIA總裁兼首席執(zhí)行官John Neuffer表示:“2月份全球半導(dǎo)體銷售額繼續(xù)放緩,連續(xù)第六個(gè)月同比和環(huán)比下降。短期市場周期性和宏觀經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)導(dǎo)致銷售降溫,但由于一系列終端市場的需求不斷增長,市場的中長期前景依然光明?!?/span>

 

4、人工智能芯片效率比拼 高通以 2:1 擊敗英偉達(dá)

4月9日消息,人工智能芯片是用于訓(xùn)練和運(yùn)行人工智能模型的專用硬件,高通公司和英偉達(dá)公司是目前兩家領(lǐng)先的人工智能芯片制造商,在近期公布的一組新的測試數(shù)據(jù)中,高通的人工智能芯片在三個(gè)衡量電源效率的指標(biāo)中以2比1擊敗了英偉達(dá)。


 

高通利用其在為手機(jī)等低功耗設(shè)備設(shè)計(jì)芯片的經(jīng)驗(yàn),推出了一款專為云端和邊緣端提供高性能、低功耗人工智能處理的芯片,名為 Cloud AI 100。該芯片在周三公布的由 MLCommons 發(fā)布的測試數(shù)據(jù)中,在圖像分類和物體檢測方面分別達(dá)到了 227.4 次查詢每瓦特和 3.8 次查詢每瓦特的功率效率指標(biāo),比英偉達(dá)的旗艦芯片 H100 更為出色。




晶圓代工

1、臺積電赴德國設(shè)廠有新動(dòng)作,業(yè)界研判設(shè)廠計(jì)劃已接近成熟階段

4月10日,據(jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》消息,臺積電供應(yīng)鏈透露,近期陸續(xù)接獲臺積電要求提供設(shè)備、耗材、廠務(wù)設(shè)施等出貨至德國的初步報(bào)價(jià)內(nèi)容。業(yè)界研判;這意味臺積電德國設(shè)廠計(jì)劃應(yīng)已接近成熟階段。據(jù)悉,臺積電赴美設(shè)立亞利桑那州新廠前夕,也曾對供應(yīng)商提出類似要求,之后便宣布美國新廠計(jì)劃。


 

對于赴德設(shè)廠,臺積電表示還在評估中,尚未定案。臺積電將于下周四舉行法說會,外界預(yù)期,除了公布首季財(cái)報(bào)、營運(yùn)展望,海外設(shè)廠規(guī)劃進(jìn)度等也會是關(guān)注焦點(diǎn)之一。

 

據(jù)悉,目前臺積電部分供應(yīng)商仍規(guī)劃維持在原來廠區(qū)生產(chǎn),再運(yùn)送到臺積電的海外廠區(qū),主要考察歐美地區(qū)各種成本都較高,必須等客戶在海外的訂單量達(dá)一定規(guī)模時(shí),才會考慮前往設(shè)廠,改為在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)。

 

2、供應(yīng)鏈消息稱臺積電將如期在2025年上線 2nm 工藝

根據(jù)供應(yīng)鏈消息,臺積電將如期在 2025 年上線 2nm 生產(chǎn)工藝。2025年下半年在新竹市寶山鄉(xiāng)進(jìn)入量產(chǎn)。


 

消息還表示,臺積電計(jì)劃在2026年推出N2P工藝,這一工藝將采用背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù)。2nm芯片是臺積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn),該工藝將會采用納米片晶體管(Nanosheet),取代鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET),這意味著臺積電工藝正式進(jìn)入GAA晶體管時(shí)代。其中,2nm芯片相較于3nm芯片,在相同功耗下,速度快10-15%。在相同速度下,功耗降低25-30%。值得關(guān)注的是,代工技術(shù)從高K金屬柵極平面FET發(fā)展到FinFET再到MBCFET,目前正進(jìn)階到BSPDN。此外,三星也將在2nm工藝采用BSPDN技術(shù)。

 

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