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  BOURNS伯恩斯宣布首款 650 V – 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD) 正式上市。 SiC SBD系列提供六款型號，旨在提供出色的載流和散熱能力以及高功率密度，從而提高性能和可靠性。這些功能使 Bourns® SiC SBD 成為最佳的高效電源轉(zhuǎn)換解決方案，適用于日益增長、需要滿足減小尺寸和降低系統(tǒng)成本要求的各項高頻應(yīng)用。Bourns® BSD 系列 SiC SBD 提供的功能可使電信/服務(wù)器開關(guān)模式電源 (SMPS)、光伏逆變器、PC 電源和電機驅(qū)動器等應(yīng)用受益。

  為了滿足不斷提高功率效率的設(shè)計需求，Bourns® SiC SBD 具有低正向電壓 (VF) 及高導熱性，不僅提高效率，同時降低功耗，滿足 650 V 和 1200 V 解決方案的應(yīng)用要求。Bourns® SiC SBD 亦沒有反向恢復電流，可降低 EMI，從而使這些 SiC SBD 能夠顯著降低能量損耗。除了提供 650 V 至 1200 V 工作電壓和 6-10 A 范圍內(nèi)的電流外，Bourns 的六款新型 BSD 寬帶隙二極管還為設(shè)計人員提供了各種正向電壓、電流和封裝選項，包括 TO220-2、TO247-3 、TO252 和 DFN8x8。

  Bourns® 六款全新 BSD 系列碳化硅肖特基勢壘二極管現(xiàn)已上市，全系列均符合 RoHS* 標準且為無鹵**、無鉛產(chǎn)品，其環(huán)氧灌封膠具有阻燃性，符合 UL 94V-0 標準。