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SKJ40N65-T7超級結MOSFET,提升性能的關鍵元件
2024-06-24 184次

超級結MOS(Super Junction MOSFET)在微型儲能、家用電器、汽車電子和工業(yè)控制等應用廣泛,但什么樣標準的超級結MOS能夠為應用場景有效保駕護航,超級結MOS的選型要求及標準主要包括以下幾個方面:

電流和電壓額定值

電壓額定值(VDS

MOSFET的漏源電壓必須高于電路中的最大工作電壓。常見電壓等級如600V、650V700V等應根據具體應用的工作電壓來選擇。例如,對于微型儲能、家用電器設備,650VMOSFET通常是合適的選擇。


電流額定值(ID):

需要根據應用中的最大負載電流來確定MOSFET的額定電流,確保其能夠在最大負載下安全運行。對于微型儲能、家用電器,高電流額定值通常能更好地滿足大功率需求。

導通電阻(Rds(on)

 

低導通電阻

低導通電阻能夠減少導通損耗,提高效率。需要在特定的柵極電壓和漏極電流條件下選擇具有盡可能低的RDS(on)MOSFET。例如,時科的SKJ40N65-T7VGS=10VID=20A時的RDS(on)不超過99mΩ,是一個低導通電阻的優(yōu)秀選擇


開關性能

開關速度:

需要選擇具有快速開關速度的MOSFET,以適應高頻應用。超結eiMOS通常具有較短的上升時間、下降時間和開關延遲時間,適合高頻操作。

柵極電荷(Qg):

低柵極電荷能夠降低驅動損耗,提升整體效率。

 

熱管理

熱阻(RθJA, RθJC):

MOSFET的熱阻參數決定其散熱能力,低熱阻能更好地將熱量傳導出去,防止過熱。

封裝類型:

選擇合適的封裝類型(如TO-220D2PAK、TO-247等)以滿足散熱和空間要求。例如,SKJ40N65-T7采用TO-247-3封裝,具有良好的散熱性能。

 

安全裕度

雪崩能量(EAS

確保MOSFET具有足夠的雪崩能量能力,以應對意外的過電壓情況。

SOA(安全工作區(qū)):

需要在各種工作條件下都能安全運行。

 

其他關鍵參數

其他關鍵參數

輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)和反向恢復時間(trr):這些參數影響MOSFET的動態(tài)性能,選擇時需要綜合考慮電路的具體要求。超高速體二極管的反向恢復時間快,可以提高整體效率。

 

超結MOS的選型需要綜合考慮電壓和電流額定值、導通電阻、開關速度、熱管理、安全裕度、寄生參數以及應用的具體需求,選擇合適的產品以確保最佳性能和可靠性。通過對上述的認知了解,我們對超級結MOS選型有了標準,那時科又有怎樣的超級結MOS能夠 安全、低功耗、高性能的為應用場景服務。

 

 

 

 

SKJ40N65-T7 超級結MOSFET 主要特性

漏源電壓(VDS: 650V

連續(xù)漏極電流(ID: 40A

封裝類型: TO-247-3

閾值電壓(VGS(th: 2~4V

導通電阻(RDS(on): VGS=10VID=20A的條件下不超過99mΩ

超高速體二極管: 反向恢復時間更快,提高工作效率

 

 

 

 

技術優(yōu)勢

低導通電阻: 超級結構技術專門用于最小化導通狀態(tài)電阻,在高電壓下也能保持低導通電阻,有效減少開關損耗。

高開關性能: 優(yōu)秀的開關性能使其能夠在高頻應用中表現出色,減少開關損耗,提高整體效率。

高能量耐受: 在雪崩和換相模式下能夠承受高能量脈沖,提高器件的可靠性。

超高速體二極管: 反向恢復時間快,進一步提高工作效率,特別適合高頻開關電路。

 

 

 

 

典型應用

01家用電器

高效率電源管理:低導通電阻和高開關速度減少熱量生成,提高整體系統(tǒng)效率。

EMI性能良好:低噪聲開關特性有助于減少電磁干擾,適應高標準的顯示設備要求。

 

02微型儲能

高效率和低待機功耗:低RDS(on)和低Qg特性提高充電器效率,減少能耗。

封裝和散熱能力:TO-247-3封裝具有良好的散熱性能,適用于頻、高功率輸出的產品領域。

 

03工業(yè)電源

高耐壓低阻抗:高耐壓和低導通電阻的特性使其能夠在電力供應應用中穩(wěn)定運行,提供可靠的電力傳輸。

 

 

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