超級結MOS(Super Junction MOSFET)在微型儲能、家用電器、汽車電子和工業(yè)控制等應用廣泛,但什么樣標準的超級結MOS能夠為應用場景有效保駕護航,超級結MOS的選型要求及標準主要包括以下幾個方面:
電流和電壓額定值
電壓額定值(VDS):
MOSFET的漏源電壓必須高于電路中的最大工作電壓。常見電壓等級如600V、650V、700V等應根據具體應用的工作電壓來選擇。例如,對于微型儲能、家用電器設備,650V的MOSFET通常是合適的選擇。
電流額定值(ID):
需要根據應用中的最大負載電流來確定MOSFET的額定電流,確保其能夠在最大負載下安全運行。對于微型儲能、家用電器,高電流額定值通常能更好地滿足大功率需求。
導通電阻(Rds(on))
低導通電阻:
低導通電阻能夠減少導通損耗,提高效率。需要在特定的柵極電壓和漏極電流條件下選擇具有盡可能低的RDS(on)的MOSFET。例如,時科的SKJ40N65-T7在VGS=10V、ID=20A時的RDS(on)不超過99mΩ,是一個低導通電阻的優(yōu)秀選擇
開關性能
開關速度:
需要選擇具有快速開關速度的MOSFET,以適應高頻應用。超結eiMOS通常具有較短的上升時間、下降時間和開關延遲時間,適合高頻操作。
柵極電荷(Qg):
低柵極電荷能夠降低驅動損耗,提升整體效率。
熱管理
熱阻(RθJA, RθJC):
MOSFET的熱阻參數決定其散熱能力,低熱阻能更好地將熱量傳導出去,防止過熱。
封裝類型:
選擇合適的封裝類型(如TO-220、D2PAK、TO-247等)以滿足散熱和空間要求。例如,SKJ40N65-T7采用TO-247-3封裝,具有良好的散熱性能。
安全裕度
雪崩能量(EAS):
確保MOSFET具有足夠的雪崩能量能力,以應對意外的過電壓情況。
SOA(安全工作區(qū)):
需要在各種工作條件下都能安全運行。
其他關鍵參數
其他關鍵參數:
輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)和反向恢復時間(trr):這些參數影響MOSFET的動態(tài)性能,選擇時需要綜合考慮電路的具體要求。超高速體二極管的反向恢復時間快,可以提高整體效率。
超結MOS的選型需要綜合考慮電壓和電流額定值、導通電阻、開關速度、熱管理、安全裕度、寄生參數以及應用的具體需求,選擇合適的產品以確保最佳性能和可靠性。通過對上述的認知了解,我們對超級結MOS選型有了標準,那時科又有怎樣的超級結MOS能夠 安全、低功耗、高性能的為應用場景服務。
SKJ40N65-T7 超級結MOSFET 主要特性
漏源電壓(VDS): 650V
連續(xù)漏極電流(ID): 40A
封裝類型: TO-247-3
閾值電壓(VGS(th): 2~4V
導通電阻(RDS(on)): 在VGS=10V、ID=20A的條件下不超過99mΩ
超高速體二極管: 反向恢復時間更快,提高工作效率
技術優(yōu)勢
低導通電阻: 超級結構技術專門用于最小化導通狀態(tài)電阻,在高電壓下也能保持低導通電阻,有效減少開關損耗。
高開關性能: 優(yōu)秀的開關性能使其能夠在高頻應用中表現出色,減少開關損耗,提高整體效率。
高能量耐受: 在雪崩和換相模式下能夠承受高能量脈沖,提高器件的可靠性。
超高速體二極管: 反向恢復時間快,進一步提高工作效率,特別適合高頻開關電路。
典型應用
01:家用電器
高效率電源管理:低導通電阻和高開關速度減少熱量生成,提高整體系統(tǒng)效率。
EMI性能良好:低噪聲開關特性有助于減少電磁干擾,適應高標準的顯示設備要求。
02:微型儲能
高效率和低待機功耗:低RDS(on)和低Qg特性提高充電器效率,減少能耗。
封裝和散熱能力:TO-247-3封裝具有良好的散熱性能,適用于高頻、高功率輸出的產品領域。
03:工業(yè)電源
高耐壓低阻抗:高耐壓和低導通電阻的特性使其能夠在電力供應應用中穩(wěn)定運行,提供可靠的電力傳輸。