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從光伏到工業(yè)設(shè)備:時(shí)科SIC MOSFET如何引領(lǐng)高效能耗新時(shí)代
2024-06-24 94次

在新能源技術(shù)蓬勃發(fā)展的今天,SIC MOSFET在充電樁、光伏發(fā)電和工業(yè)設(shè)備中的應(yīng)用變得越來(lái)越廣泛。那么,如何選擇高性價(jià)比的SIC MOSFET呢?時(shí)科的SIC MOSFET SKSC120N016-T74又具備哪些獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)?讓我們一起來(lái)探討一下。


01如何選擇SIC MOSFET 

在選擇SIC MOSFET,需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵特點(diǎn)和要求:

電壓額定值(VDS)::

確保MOSFET的漏源電壓高于電路中的最大工作電壓。

 

電流額定值(ID)::

根據(jù)應(yīng)用中的最大負(fù)載電流選擇適當(dāng)?shù)念~定電流,確保在最大負(fù)載下安全運(yùn)行

 

導(dǎo)通電阻(Rds(on)):

選擇導(dǎo)通電阻低的MOSFET,以減少導(dǎo)通損耗,提高效率。例如,時(shí)科的SKSC120N016-T74在VGS=15V,ID=7A時(shí)的導(dǎo)通內(nèi)阻僅為16mΩ。

 

柵極電荷(Qg):

低柵極電荷可以降低驅(qū)動(dòng)損耗,提升整體效率。

 

 


02、時(shí)科SIC MOSFET的優(yōu)勢(shì)

高性能: 

高阻斷電壓:時(shí)科的SIC MOSFET具備極高的阻斷電壓,遠(yuǎn)超傳統(tǒng)SI器件,為系統(tǒng)提供更高的電壓保護(hù)。  

低導(dǎo)通損耗:相比普通的SI器件,SIC MOSFET的導(dǎo)通損耗要小得多,且在不同溫度下?lián)p耗變化較小,保證了更穩(wěn)定的性能。 


低能耗:

快速開(kāi)關(guān)速度:由于SIC材料的熱導(dǎo)系數(shù)是SI材料的2.5倍,飽和電子漂移率是SI2倍,時(shí)科的SIC MOSFET可以在更高頻率下高效工作。

低電容設(shè)計(jì):時(shí)科的SKSC120N016-T74具有較低的電容,進(jìn)一步減少能耗。

 

安全可靠: 

易于并聯(lián)和驅(qū)動(dòng):時(shí)科的SIC MOSFET設(shè)計(jì)便于并聯(lián)使用,并且易于驅(qū)動(dòng)雪崩。  

堅(jiān)固耐用:具備抗鎖存能力,能夠承受更高溫度,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

 


03、時(shí)科SKSC120N016-T74特性

 

漏源電壓(VDS): 1200V

連續(xù)漏極電流(ID):140A

封裝類型:TO-247-4L

閾值電壓(VGS(th)):2.9V

導(dǎo)通電阻(RDS(on)):VGS=15V、ID=75A的條件下標(biāo)準(zhǔn)值為16mΩ


 

04、典型應(yīng)用

①新能源充電樁時(shí)科的SKSC120N016-T74應(yīng)用在新能源充電樁上可發(fā)揮很多優(yōu)勢(shì),因具有更低的導(dǎo)通電阻和斷態(tài)漏電流,有助于提高充電樁的效率;可以以比硅器件高得多的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān),從而減小了電容器和磁性元件的尺寸和重量;具有更低的反向恢復(fù)電流和更高的導(dǎo)熱率,能夠承受更高的芯片溫度,降低了散熱要求,從而提高了充電樁的可靠性;SiC MOSFET優(yōu)化了Qg和Coss/Ciss比值,降低了驅(qū)動(dòng)損耗,提升了驅(qū)動(dòng)抗干擾能力,還優(yōu)化了EAS,增強(qiáng)了抗雪崩能力,提高了充電樁在極端條件下的穩(wěn)定性;這些特性使得SiC MOSFET在充電樁上的應(yīng)用能夠提供更安全高效的充電解決方案,滿足現(xiàn)代電動(dòng)汽車快速充電的需求。

 


②光伏發(fā)電時(shí)科的SKSC120N016-T74導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗小,應(yīng)用在光伏發(fā)電上,可以提高光伏逆變器的轉(zhuǎn)換效率;不僅如此,在高溫環(huán)境下仍然具有較高的性能,因此可以在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行,提高光伏逆變器的可靠性和壽命。而且,SiC MOSFET的體二極管雖然是PN 二極管,但是少數(shù)載流子壽命較短,所以基本上沒(méi)有出現(xiàn)少數(shù)載流子的積聚效果,與SBD 一樣具有超快速恢復(fù)性能,能夠?qū)崿F(xiàn)非常小的恢復(fù)損耗,同時(shí)還預(yù)期可以減少因恢復(fù)電流而產(chǎn)生的噪音,達(dá)到降噪。

 

 

③工業(yè)設(shè)備工業(yè)設(shè)備中往往需要滿足高頻率,損耗小的要求,而時(shí)科的SKSC120N016-T74開(kāi)關(guān)速度快,開(kāi)關(guān)損耗小,應(yīng)用在工業(yè)設(shè)備中正好可以解決這些需求。

 



用于前級(jí)PFC電路選擇SIC MOSFET時(shí)需綜合考慮電壓、電流額定值、導(dǎo)通電阻、封裝等關(guān)鍵參數(shù),以確保產(chǎn)品的最佳性能和可靠性。而時(shí)科的SKSC120N016-T74憑借其優(yōu)越的參數(shù)表現(xiàn),成為高性價(jià)比解決方案的不二之選。

 

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